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BAT760_3
? NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 03 — 17 October 2008 2 of 9
NXP Semiconductors
BAT760
Medium power Schottky barrier single diode
2. Pinning information
[1] The marking bar indicates the cathode.
3. Ordering information
4. Marking
5. Limiting values
Table 2. Pinning
Pin
Description
Simpli?ed outline
Graphic symbol
1 cathode
[1]
2 anode
2
1
sym001
12
Table 3. Ordering information
Type number
Package
Name
Description
Version
BAT760 SC-76 plastic surface-mounted package; 2 leads SOD323
Table 4. Marking codes
Type number
Marking code
BAT760 A4
Table 5. Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
VR
reverse voltage - 20 V
IF
forward current - 1 A
IFSMnon-repetitive peaktp= 8.3 ms;-5A
forward currenthalf-sine wave;
JEDEC method
Tj
junction temperature - 125
°C
Tamb
ambient temperature
?65 +125
°C
Tstg
storage temperature
?65 +150
°C
*型号 *数量 厂商 批号 封装
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